你遇到过闪存里面的资料一部分不翼而飞的事情了吗？我遇到过，我朋友遇到过，读者前两天通过邮件也告诉了我同样的经历。巧合的是我们遇到事情的主角都是同一个——“升级版”闪存。这让我不得不带着疑问把普通的和升级版闪存进行对比拆解。
认识闪存内部结构
在拆解升级版闪存之前，我们先认识一下闪存内部的结构，闪存内部有一块PCB（印刷电路板），上面有闪存颗粒、控制芯片、晶振等元件。其中，闪存颗粒就是起的存储数据的作用；而晶振全称为适应晶体振荡器，它在我们的电脑上很常见，它可以产生原始的时钟频率，这个频率会通过时钟放大器变成我们常见的各种总线频率；控制芯片则是闪存中起着决定性作用的东西，比如这个闪存是不是USB 2.0的，速度最高可以达到多少等都是由它说了算。此外，还有一些如PCB版、电容、电阻之类的小元件质量则是与做工用料有关。如图1，这就是同一个闪存的PCB的两个面，每个面各有一个“三星”闪存颗粒，PCB两面各自放着晶振和控制芯片。
现在大多数闪存产品都会采用单PCB设计，这样可以有效节约成本。而在以前出现过双PCB设计的闪存（图2）。闪存颗粒被单独设计在了一个PCB上，晶振和控制芯片（图2下面这个PCB的背面）放在了一起。有闪存颗粒的PCB可以插在带晶振的PCB上，通过图3的插针、插槽进行数据传输。这样的设计好处是只要硬件支持，厂家可选择闪存颗粒直接插在上面。但这样会导致用料成本上升，外观也无法做小，所以现在这样的设计比较少见了。
知道了闪存的基本内部结构，我们再来看看造成我们数据丢失的元凶。
元凶一：闪存的劣质做工
起存储作用的闪存颗粒如果焊接粗糙，谁敢保证它不会数据丢失。对比一下两个不同品质的闪存的做工，大家可以在图4所示的闪存颗粒上看到还有一些胶状物，而在图5上面，我们看不见这样的东西，而且闪存的针脚非常整齐，做工显然强不少。
我们再来看看另外一个重要部件——晶振，同样对比这两个闪存。如图6，下面的劣质闪存采用的是圆柱形晶振，这就是典型用手工焊上去的。而上面的闪存采用的是SMT（Surface Mounted Technology，表面组装技术）焊接技术，这种技术可以提高可靠性、加强抗震能力、抗干扰。前面我们也提到了，晶振是产生原始频率的东西，它都不稳定，整个闪存的数据怎么能够谈得上安全存储。
元凶二：修改控制芯片
前面提到了控制芯片决定这个闪存的读写速度、规格等参数，所以我们就可以人为修改控制芯片，让电脑把明明只有2GB容量的闪存显示为有4GB容量，而实际上只能存储2GB数据。
元凶三：对闪存颗粒动手脚 从晶圆切割下来的闪存芯片的容量是没有完全相同的，这和两个人体质不可能完全相同同理。如果厂商本来生产的是1GB的闪存（图7左整体），但发现有一个闪存芯片只有800MB的容量是好（图7左绿色），有200MB是坏的或者不合格的（图7左红色），那么负责任的厂商就会屏蔽200MB（图7右红色）。而这类800MB容量闪存芯片一般都会用来做512MB的产品，所以合格的多余容量同样会被屏蔽（图7右蓝色）。
而有人就在这里面找到了生财之道，它们会把被屏蔽的部分打开达到“扩容”的目的，然后再以比同容量低不少的价格卖给闪存厂商。由于价格的诱惑，不负责任的闪存厂商就会用这些闪存芯片生产闪存。
这还没有结束，由于闪存芯片要用一部分的容量用来做“缓冲区”（图8，黄色），但很多不负责任的闪存厂商就会把部分的缓冲区当成真正储存数据用（图8右，粉红），这样可以再次增大闪存容量。只不过，它和前面“扩容”导致的后果相同，一旦数据存入这些区域，有一部分数据会不翼而飞。
小贴士：缓冲区作用 当我们向闪存写入数据时，数据会暂时储存在闪存颗粒的“缓冲区”里，然后再存储到闪存颗粒里（图8绿色）。也就是说，缓存区只是一个数据的临时“集散点”。
