针对被美国国防部列入中国涉军企业名单一事，中芯国际发布公告称，被列入中国涉军企业名单，对本公司运营没有重大影响。中芯国际强烈反对美国国防部的决定，此举反映了美国国防部对公司业务与技术最终用途的根本误解。
中芯国际表示，会继续与美国政府相关部门保持积极的交流沟通。


事实上，早在今年9月，业内就传出美国正考虑将中芯国际列入“实体清单”，随后便对中芯国际进行了一些出口限制，即美国供应商向中芯国际供应的一些产品需要申请许可证。
随后在10月4日晚间，中芯国际发布公告，确认了这一消息，称美国BIS已根据美国出口管制条例EAR744.21(b)，向中芯国际的部分供货商发出信函，对于向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料，会受到美国出口管制规定的进一步限制，须事前申请出口许可证后，才能向中芯国际继续供货。

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 12 月 4 日消息 今天，中芯国际在互动平台上回答投资者时表示，第二代FinFET 已进入小量试产。

在回答投资者 “近来公司 7 纳米产品生产研发进展如何？”的问题时，中芯国际表示，公司第一代 FinFET 14nm 已于 2019 年四季度进入量产，第二代 FinFET 已进入小量试产。
IT之家了解到，中芯国际于 2019 年实现了国内最先进的 14nm 工艺制程量产，并已为华为麒麟 710A 芯片等进行代工。
今年9月份，投资者向中芯国际求证中芯关于下一代芯片量产消息，中芯国际回答表示：中芯国际第二代 FinFET N+1 已进入客户导入阶段，可望于 2020 年底进行小批量试产。
今年10月份， 中国一站式 IP 和定制芯片企业芯动科技（INNOSILICON）宣布已完成全球首个基于中芯国际 FinFET  N+1 先进工艺的芯片流片和测试，所有 IP 全自主国产，功能一次测试通过。关于N+1工艺，中芯国际联合CEO梁孟松今年初曾透露，该工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺非常相似，且不需要EUV光刻机，但在性能方面提升还不够，所以N+1工艺是面向低功耗应用领域的。其曾表示，中芯国际N+1工艺和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%，而7nm市场基准性能提升应该是35%。

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